半导体器件有哪些（半导体与芯片的区别）
本篇文章给大家谈谈半导体器件有哪些，以及半导体与芯片的区别对应的知识点，希望对各位有所帮助，不要忘了收藏本站喔。
半导体有哪些
锗、硅、硒、砷化镓、许多金属氧化物和金属硫化物巧并枣等。其导电性介于导体和绝缘体之间的半导体称为半导体。
半导体有一些特殊的性质。例如，可以利用半导体的电阻率与温度的关系来制作热敏元件(热敏电阻)，用于蔽咐自动控制；利用其光敏特性，可制成光敏元件用于自动控制，如光电池、光电池、光敏电阻等。
半导体还有一个最重要的特性。如果在纯半导体物质中适当掺入少量杂质，其电导率将增加数百万倍。这一特性可用于制造各种半导体器件，如半导体二极管、三极管等。
当半导体的一面做成P型区，另一面做成N型区时，在结附近形成一层具有特殊性质的孝拆薄层，一般称为PN结。图的上半部分分为P型半导体和N型半导体界面两侧的载流子扩散(用黑色箭头表示)。中间部分是PN结的形成过程，表示载流子的扩散效应大于漂移效应(蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场方向)。下部是PN结的形成。代表扩散和漂移之间的动态平衡。
半导体器件包括哪些？
所有含PN结的器件都可叫半导体器件带猛简宏，常见的有：二极管、三极管、场效应管、晶闸管、达林顿管、单蠢咐桥结晶体管、LED以及含有半导体管的集成块、芯片等。
半导体器件有哪些分类？
晶体二极管、双极型晶体管等！！！
半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件，可用来产生、控制、接收、变换、放大信 号和进行能量转换。
半导体器件的半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN结。
半导体器件(semiconductor
device)通常，利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极管，晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一
般是有源器件，典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两
类。根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的
一般晶体管外，还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。这些器件既能把一些
环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外，还有一些特殊器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存
储器件等。在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波
通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。微波半导体
器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战配瞎、C(U3)I等系统中已得到广泛的应用 。
折叠 晶体二极管
晶体二极管的基本结构是由一块
P型半导体和一块N型半导体结合在一起形成一个
PN结。在PN结的交界面处，由于P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子要相互向对方扩散而形成一个具有空间电荷的偶极层。这偶极层阻止了空穴和电子的继续扩散而使PN结达到平衡状态。当PN结的P端(P型半导体那边)接电源的正极而另一端接负极时，空穴和电子都向偶极层流动而使偶极层变薄，电流很快上升。如果把电源的方向反过来接，则空穴和电子都背离偶极层流动而使偶极层变厚，同时电流被限制在一个很小的饱和值内(称反向饱和电流)。因此，PN结具有单向导电性。此外，PN结的偶极卜颂层还起一个电容的作用，这电容随着外加电压的变化而变化。在偶极层内部电场很强。当外加反向电压达到一定阈值时，偶极层内部会发生雪崩击穿而使电流突然增加几个数量级。利用PN结的这些特性在各种应用领域内制成的二极管有:整流二极管、检波二极管、变频二极管、变容二极管、开关二极管、稳压二极管(曾讷二极管)、崩越二极管(碰撞雪崩渡越二极管)和俘越二极管(俘获等离子体雪崩渡越时间二极管)等。此外，还有利用PN结特殊效应的隧道型卖郑二极管，以及没有PN结的肖脱基二极管和耿氏二极管等。
折叠 双极型晶体管
它是由两个PN结构成，其中一个PN结称为发射结，另一个称为集电结。两个结之间的一薄层半导体材料称为基区。接在发射结一端和集电结一端的两个电极分别称为发射极和集电极。接在基区上的电极称为基极。在应用时，发射结处于正向偏置，集电极处于反向偏置。通过发射结的电流使大量的少数载流子注入到基区里，这些少数载流子靠扩散迁移到集电结而形成集电极电流，只有极少量的少数载流子在基区内复合而形成基极电流。集电极电流与基极电流之比称为共发射极电流放大系数?。在共发射极电路中，微小的基极电流变化可以控制很大的集电极电流变化，这就是双极型晶体管的电流放大效应。双极型晶体管可分为NPN型和PNP型两类。
折叠 场效应晶体管
它依靠一块薄层半导体受横向电场影响而改变其电阻(简称场效应)，使具有放大信号的功能。这薄层半导体的两端接两个电极称为源和漏。控制横向电场的电极称为栅。
根据栅的结构,场效应晶体管可以分为三种:
①结型场效应管(用PN结构成栅极);
②MOS场效应管(用金属-氧化物-半导体构成栅极,见金属-绝缘体-半导体系统);
③MES场效应管(用金属与半导体接触构成栅极);其中MOS场效应管使用最广泛。尤其在大规模集成电路的发展中,MOS大规模集成电路具有特殊的优越性。MES场效应管一般用在GaAs微波晶体管上。
在MOS器件的基础上,又发展出一种电荷耦合器件 (CCD)，它是以半导体表面附近存储的电荷作为信息，控制表面附近的势阱使电荷在表面附近向某一方向转移。这种器件通常可以用作延迟线和存储器等;配上光电二极管列阵，可用作摄像管。
半导体元器件有哪些
半导体元器件有哪些？现在我们来看下。1、晶体二极管晶体二极管的基本结构是由一块P型半导体和一块N型半导体结合在一起形成一个禅亮祥PN结。2、双极型晶体管它是由两个PN结构成，其中一个PN结称为发射结，另一个称为集电结。两个结之间的一薄层半导体材料称为基区。3、场效应晶体管它依靠一块薄层半导体受横向键段电场影响而改变其电阻（简称场效应），使具有放大信号的功能。这薄层半导体的两端接两个贺搏电极称为源和漏。控制横向电场的电极称为栅。
半导体包括哪些电子元器件？半导体电子元器件详细介绍
所谓半导体就是指导电性能介于金属导体和绝缘体之间的物质，一般是固体（如锗、硅和某些化合物），其中杂质含量和外界条件的改变(如温度变化、受光照射等)都会使其导电性发生变化。
目前半导体元件包括 ： 二极管、三极管、场效应管、晶闸管、达林顿管、LED以及含有半导体管的集成块、芯片等。
① 二极管：
二极管，（英语：Diode），电子元件当中，二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。
② 三极管：
由三个电极组成的一种电子元件。有电子管三极管和半导体三极管两种。电子管三极管由屏极、栅极、阴极组成；半导体三极管由集电极、基极、发射极组成。
③ 场效应管：
场效应管属于电压控制元件，这一点类似于电子管的三极管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有如下特点：
（1）场效应管是电压控制器件，它通过UGS来控制ID；
（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。
（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
（5）场效应管的抗辐射能力强；
（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
④ 晶闸管：
晶闸管导通条件为：加正向电压且门极有触发电流；罩嫌档其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是者稿一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。
⑤ 达林顿管
达林顿管原理 达林顿管又称复合管。它将二只三极管适当的连接在一起，以组成一只等效的新的三极管。这等效于三极管的放大倍数是二者之积。达林顿管的应用：
（1）用于大功率开关电路、电机调速、逆变电路。
（12驱动小型继电器 利用CMOS电路经过达林顿管驱动高灵敏度继电器的电路，如右上图所示。虚线框内是小功率NPN达林顿管FN020。
（3）驱动LED智能显示屏
⑥ LED二极管
发光二极管（LightEmitting Diode,LED），是一种半导体组件。初时多用作为指示灯、显示发光二极管板等；随着物乱白光LED的出现，也被用作照明。
LED被称为第四代照明光源或绿色光源，具有节能、环保、寿命长、体积小等特点，广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。
以上就是简单整理的几大常用的半导体电子元器件，在电子领域应用非常的广泛，大家可以了解下。
本文由IC先生网编辑整理，有任何问题欢迎交流讨论。
半导体器件有哪些的介绍就聊到这里吧，感谢你花时间阅读本站内容，更多关于半导体与芯片的区别、半导体器件有哪些的信息别忘了在本站进行查找喔。
网友评论